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- 編號(hào)：97667305
- 頻率：1.5~50MHz
- 尺寸：2.0*1.6*0.65mm
Raltron晶振,CO2016晶振,石英晶體振蕩器
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15μA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)...
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Raltron晶振,CO2016晶振,石英晶體振蕩器.有源晶振只是晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英網(wǎng)絡(luò)設(shè)備晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的SMD晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
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石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英網(wǎng)絡(luò)設(shè)備晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的SMD晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
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拉隆有源晶振公司在1983年成立于邁阿密,拉隆電子公司已經(jīng)發(fā)展成為其中之一公認(rèn)的經(jīng)驗(yàn)豐富的頻率管理產(chǎn)品制造商在世界各地.從簡單音叉晶體到高穩(wěn)定性控制有源晶體振蕩器,拉隆提供最多全行業(yè)的頻率管理設(shè)備. 公司對(duì)研發(fā)的承諾使得不斷創(chuàng)造領(lǐng)先邊緣晶體和振蕩器器件和技術(shù)多年.今天,拉爾特龍?zhí)峁└咝阅茴l率控制解決方案滿足和超越客戶的期望價(jià)格,質(zhì)量,應(yīng)用工程和客戶支持.
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| 型號(hào) | 符號(hào) | CO2016 |
| WC | - | CMOS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 1.5~50MHz |
| 電源電壓 | VCC | +1.8V，+2.5V，+3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±25ppm~±100ppm |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -40℃~+85℃ |
| 運(yùn)行溫度范圍 | T_use | -10℃~+70℃ |
| 消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) |
| 待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 15pF |
| 波形對(duì)稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 上升時(shí)間 下降時(shí)間 | tr, tf | 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN] |
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有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗進(jìn)口晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
機(jī)械處理
當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).
激勵(lì)功率
在晶振上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）.
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）.
負(fù)載電容
有源進(jìn)口貼片石英晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.
RALTRON晶振公司遵守所有適用的有關(guān)環(huán)境、健康和安全的法律和法規(guī)以及公司自己的有關(guān)環(huán)境、工業(yè)衛(wèi)生和安全的方針和承諾.與我們的員工一起開創(chuàng)并保持一個(gè)免于事故的工作場所.重視產(chǎn)品污染預(yù)防,消除偏離程序的行為強(qiáng)調(diào)通過員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進(jìn)我們經(jīng)營活動(dòng)的環(huán)境績效.
美國RALTRON晶振本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)晶振產(chǎn)品也能達(dá)到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則.
RALTRON晶振公司集團(tuán)作為“地球內(nèi)企業(yè)”,在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用.我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性,并致力于“CSR經(jīng)營”和“環(huán)境經(jīng)營”.為取得社會(huì)的信任,為推動(dòng)環(huán)境負(fù)荷最小化,RALTRON晶振集團(tuán)還開展了各種各樣的低電壓晶振產(chǎn)品生產(chǎn)宣傳推廣活動(dòng).
美國RALTRON晶振勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國及企業(yè)關(guān)注焦如何做到'降低職業(yè)災(zāi)害發(fā)生,確保工作場所安全,實(shí)施員工健康管理'一直是RALTRON晶體努力的方向,公司于2008年12月通過OHSAS18001職業(yè)安全衛(wèi)生管理系統(tǒng)驗(yàn)證,提供勞工符合系統(tǒng)要求的安全衛(wèi)生工作環(huán)境.
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全方位技術(shù)指導(dǎo),專業(yè)的技術(shù)支持讓您感受到 專業(yè)的銷售團(tuán)隊(duì),耐心為您解答任何疑問,讓您的
前所未有的后顧無憂. 消費(fèi)得到保障.
3.質(zhì)量保證，誠信為上 4.提升業(yè)績,降低成本
我司以“以科技為動(dòng)力，以質(zhì)量求生存”為理念. 為您的產(chǎn)品量身訂制,免費(fèi)取樣,
為您做到低成本,高效率.
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